El descubrimiento del diodo y el estudio sobre el comportamiento de los semiconductores desembocó que a mediados del siglo pasado se desarrollara el transistor que sustituiría a la válvula de vacío y posteriormente el circuito integrado, esto abrió las posibilidades a todo un mundo de avances tecnológicos.

 

El desarrollo de la microelectrónica, como se denomina la electrónica de los circuitos integrados ha sido imparable. Desde su comercialización el número máximo de componentes integrados en un chip se duplicó cada año desde los 100 iniciales. En la segunda mitad de los años setenta, al introducirse la integración a gran escala (VLSI) y superar los 10.000 componentes, se ingresó en la época actual, en la que es normal encontrar varios millones de componentes integrados en un chip muy pequeño, por ejemplo en los microprocesadores de los ordenadores personales.

 

En los circuitos electrónicos se utilizan de forma habitual componentes no lineales, existe una magnitud cuyo valor depende a su vez de otra, pero esta variación no responde a una función lineal. Entre estos componentes se encuentran los semiconductores.

 

Tanto el silicio como el germanio tienen en su última cala cuatro electrones que van a formar enlaces covalentes con otros átomos de manera que formen una red estable. Tal y como puedes ver en la figura:

Ahora bien, si en esta red introducimos una serie de impurezas en forma de elementos trivalentes o pentavalentes diremos que el material está dopado.

Si el material que añadimos es un elemento pentavalente como por ejemplo es fósforo (P), lo que conseguimos es que en la red haya un exceso de electrones, por lo que diremos que es un semiconductor tipo N. Obtenemos un elevado número de electrones.


Si ahora añadimos un elemento trivalente como puede ser el aluminio (Al) tendremos un exceso de protones (huecos), a este tipo de semiconductor se le denominará tipo P. Obtenemos un elevado número de huecos.

A los semiconductores dopados se les denomina semiconductores extrínsecos.